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欠陥修正では膜を除去するだけでなく、配線をつなげるために欠陥部に膜をつける機能が必要です。レーザを照射した欠陥部位に局所的に膜を付けるために、下図の熱CVD法と光CVD法が行われます。共に原料ガス中でレーザによる熱分解や光分解により所望の薄膜を堆積させる方法です。光CVDでは任意の場所に成膜できますが、熱CVDでは成膜がレーザで熱が発生する場所に限定されます。弊社の光CVDでは生産性に優れるガスカーテン方式を用いています。
熱CVD法
熱CVD法の図
温度上昇により原料ガスを熱分解させて膜を堆積。吸収体、CVD核が存在しない箇所では分解、堆積が起こらない。
光CVD法
光CVD法の図
配線材、絶縁膜上で原料ガスを光分解し、均一な導電膜を堆積。任意の場所に堆積可能で、配線間の結線に最適。
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