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ウェハマーキング レーザ溶接 レーザトリミング
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ウェハマーキング
レーザによる半導体ウェハへの印字は、非接触のドライプロセスであり、微細・精巧、消えない、クリーン、フレキシブル等、多くのメリットがあります。製造工程の自動化や高速化等、新たな観点で注目されています。
半導体 化合物半導体 パワー半導体
Si、GaAsウェハの他 UVレーザ搭載モデルのSL473DT2では
SiC、GaN等の次世代材料ウェハにも レーザーマーキングが可能です。

次世代材料用モデル(DT2)、少生産仕様低価格モデル(DS2)、
多生産仕様高スループットモデル(FS4)、300mmウェハ専用モデル(GS3)
計4モデルをラインアップ(詳細は製品写真をクリック下さい)
ウェハマーカ
SL473シリーズ

用途:ウェハマーキング
    (Si , GaAs , SiC , GaN 等)
○ウェハマーカ(装置)以外のレーザマーカ