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レーザ発振器・ユニット
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半導体 化合物半導体 パワー半導体
  レーザによる半導体ウェハへの印字は、シビアな高品質マーキングが求められます。半導体工程でより確実な生産管理の役に立っています。
ウェハマーカ
Si、GaAsウェハの他 UVレーザ搭載モデルのSL473DT2では
SiC、GaN等の次世代材料ウェハにも レーザーマーキングが可能です。

次世代材料用モデル(DT2)、少生産仕様低価格モデル(DS2)、
多生産仕様高スループットモデル(FS4)、300mmウェハ専用モデル(GS3)
計4モデルをラインアップ(詳細は製品写真をクリック下さい)
ウェハマーカ ウェハマーカ
SL473シリーズ

用途:ウェハマーキング
    (Si , GaAs , SiC , GaN 等)